马佐平
马佐平，男，美国国籍，微纳电子科学家。原籍浙江东阳，1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。现任美国耶鲁大学教授。2003年当选为美国工程院院士。当时获选的77人中，马佐平是唯一的华裔院士。
基本内容
马佐平 , 男, 美国国籍，微纳电子科学家。1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位 。现任美国耶鲁大学教授。2003年当选为美国工程院院士。当时获选的77人中，马佐平是唯一的华裔院士。
对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质 (包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。1970年始他在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅(Si3N4)做MOS栅介质以取代二氧化硅(SiO2)的概念并首先用实验证明其可行性，推动了近年引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。最近Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式实践了马佐平早期理念。最近，他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。IETS有望将来被广泛使用，从而进一步推动MOS栅介质的研究及发展。
在耶鲁大学培养了大批华裔微电子科技专家，其中40多位中国学生在他指导下获得博士学位。1993年以来，他几乎每年都回国，多次到中国航天技术院、中国科学院、清华大学、北京大学、山东大学、天津大学、复旦大学、上海交通大学、厦门大学等科研机构和大学讲学。1994年至2000年间，马佐平研究小组与中科院新疆物理所的辐射效应小组密切合作，促使中科院新疆物理所成为中国的半导体器件的辐射效应中心之一。2002年到2005年，与清华大学共同研发制造先进的闪存器件，对清华大学闪存科研的进展有较大的贡献。2005年，马佐平与北大微电子学研究院王阳元共同成立了北大-耶鲁微纳电子合作研究中心，合作研讨微电子及纳米电子领域的最先进的科学课题。马佐平受聘为福建省信息产业专家委员会委员，福建省政府顾问，苏州工业园区微电子业首席顾问。2010年，马佐平将与国内同行专家在中国合作主办第十届国际固态和集成电路技术会议（ICSICT）。
工作和职务
美国国家工程院院士
耶鲁大学电机系讲座教授
耶鲁大学电机系系主任
耶鲁大学微电子研究中心共同主任
北京大学－耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任
马佐平院士也是IBM, Intel, HP, 日立, 东芝, 台积电,旺宏电子等国际大公司的高级科技顾问.
在中国的兼职情况
中国科学院名誉教授
清华大学，天津大学，山东大学，福州大学名誉教授
北京大学客座教授
信产部十五，十一五规划顾问。
目前研究项目
> Advanced Gate Dielectrics
> Flash Memory Devices
> MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs
> Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)
> Ferroelectric Thin Films for Memory Technology
近期主要成就
2003年当选美国国家工程院院士， 为当年获选的77人中唯一的华裔院士。
2005年获世界电子与电机工程学会“安德鲁。葛洛夫大奖”，此奖每年只颁发给一名给对计算机科技有卓越贡献的世界级研究者。
2006年获美国半导体协会“大学研究大奖”
其它获奖情况
a Harding Bliss Prize from Yale University
GE Whitney Lectureship from General Electric
Yankee Ingenuity Award from the State of Connecticut
BF Goodrich Collegiate Inventoru2019s Winneru2019s Advisor Award (twice)
the Paul Rappaport Award from the IEEE Electron Device Society
学术论文
在美国及国际主要学术刊物上发表近200篇学术论文：（以下是代表作）
"Mobility Measurement and Degradation Mechanisms of MOSFETs Made with Ultra-Thin High-k Dielectrics," IEEE Trans. Electron Devices, VED-51(1), 98-105 (2004).
"Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy Study of Ultra-thin HfO2 and HfAlO," Appl. Phys. Lett., 83(13), 2605 (2003).
"High Temperature (450 C) Reliable NMISFETs on P-type 6H-SiC," X. Wang, T.P. Ma, et al., paper 8.7, Technical Digest of International Electron Device Meeting, Washington DC., Dec. 5-8 (1999).
"Making Silicon Nitride Film a Viable Gate Dielectric," T.P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev., 45, 680 (1998).
马佐平获世界电子与电机工程学会葛洛夫奖
2005年8月22日
华声报讯：据美国《世界日报》报道，“世界电子与电机工程学会”(IEEE)日前宣布，将把今年度的安德鲁·葛洛夫奖颁发给现任耶鲁大学电机系及微电子中心华裔主任马佐平教授，以表彰他在研发“互补性氧化金属半导体”闸介极科技方面的卓越贡献。
马佐平8月17日对于获得该奖表示相当兴奋，但他也不忘将这份荣耀与共事研究的耶大电机系研究生分享。马佐平指出，他的研究团队共有10位学生，其中除了一名为白人学生外，其它皆为来自大陆或台湾的留学生，他表示这个奖是该团队共同努力的成果。
马佐平从1993年开始研究互补性氧化金属半导体，这个安装在计算机内存内的半导体，主要有三项功能――省电、快速处理和节省成本。他举例说，一般计算机内的半导体，若希望能加快其处理速度，则需要消耗较多的电能，但他的研究成果则让未来类似的半导体在高速运算的情形下使用较少的电能，这项科技还可运用在一般生活中，如手机、收音机等家电上，他指出，未来的手机或许可以更精密且耗电量更少。
具有悠久历史的世界电子与电机工程学会是目前全世界最大的职业科技机构，现有会员约36万人，来自全世界170个国家，包含了航天、计算机科技、生化等各方面人才，葛洛夫奖是特为纪念英特尔公司创办人兼董事长葛洛夫而设立，每年只颁发一名给对计算机科技有卓越贡献的研究者。